基于MPCVD异质外延技术，在氮化镓、蓝宝石、碳化硅等基底上实现8英寸金刚石晶圆的研发级制备，为下一代功率电子、射频器件与半导体热管理提供材料平台支撑。

8英寸金刚石异质外延晶圆，是指通过MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）技术，在非金刚石基底材料表面进行金刚石异质外延生长，形成大尺寸金刚石晶圆的材料。

"异质外延"是指金刚石外延层生长在与其晶体结构不同的基底材料之上（区别于金刚石同质外延——即在金刚石籽晶上继续生长金刚石），需要通过成核层/过渡层设计来实现金刚石与基底材料之间的晶格适配。该技术路线的平台价值在于：有望突破金刚石籽晶尺寸对晶圆大尺寸化的限制，为金刚石材料进入大尺寸半导体产业链提供可能路径。