晶圆级金刚石
√热导率高达1000-2000W/m.
√晶圆级金刚石生长面表面粗糙度(Ra)<1nm
√高品质且成本可控
√可定制化
金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，优势诸多:
1.极高的热传导:热导率2200W/m.K，室温下金刚石具有最高的热导率
2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，Sic的2.5倍
3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件
4.低的介电常数:介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小
5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率
6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500cm2/(V.s)，高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件
晶圆级金刚石
厚度(um):特殊要求根据需求量可定制
体密度(g/cm3):3.3216
热传导率(W/(m*K)):TC.1200;T.C1500;T.C1800
热扩散系数(cm^2/s):6.6;8.2;9.9
热膨胀系数(RT-700°C)
(10-6K-1):3.1962
莫氏硬度:>10
抗拉强度(Mpa):450~1100
杨氏模量(GPa):1000~1100
介电常数(1MHz):5.68
介电损耗(1MHz):6.2*10-8
体积电阻(25°C,'-cm):2.95*1013
绝缘耐压(V/mA):DC 5.5KV/1.5mA
透光率:40%~65%
红外吸收系数(cm-1@1.064um):0.3979~0.1871
精抛-表面粗糙度(正面):Ra<1nm
表面粗糙度(背面):Ra<200nm
TTV: <1um (025mm)
翘曲度:<1um (025mm)
平面度PV (fringe@633nm):1.5fringe (025mm)