良好的散热可以通过降低电子元件中的体积热阻和界面热阻来进行。由于晶体管的结温受其芯片内散热能力的限制，需要将高热导率材料放置在芯片热点附近，以最大限度地降低器件温升。

与现有的GaN-on-SiC HEMT相比，GaN-on-Diamond结构可提供更低的结温，并大幅提高器件的功率处理能力，预计将提高3倍以上。这样的提高可以降低系统整体的冷却要求，也提高了器件的可靠性。